• 2. Дефекти кристалічної будови

    Викладач: Валентин Геннадійович Гаврилюк

    Зміст теми

    1. Спроби класссіфікаціі.
    2. Точкові дефекти.
    3. Лінійні дефекти.
    4. Планарні дефекти.

    Контрольні питання:

    1. Як і чому змінюється об'єм кристала при утворенні вакансій?
    2. Механізм радіаційного розпухання металів.
    3. Чому розчинення міжвузлових атомів збільшує рівноважну концентрацію вакансій?
    4. Механізм генерації точкових дефектів при перетині дислокацій. 
    5. Загальне визначення дислокації. У чому відмінність між дислокацією і ланцюжком вакансій? 
    6. Чому дислокація прагне скоротити свою довжину? 
    7. У чому відмінність між енергіями крайової і гвинтової дислокацій?
    8. Що таке сили зображення і дислокації зображення?
    9. Типи взаємодії між дислокаціями.
    10. Механізми емісії дислокацій.
    11. Чому дорівнює напруга, що діє на дислокацію-лідера в пласкому дислокаційному скупченні? 
    12. Чим визначається відстань між дислокаціями в пласкому дислокаційному скупченні? 
    13. Механізм ефекту Баушінгера в термінах дислокацій. 
    14. Що спричиняє появу дефекту упаковки в кристалах? 
    15. Фізичний сенс енергії дефекту упаковки. 
    16. Залежність енергії дефекту упаковки від електронної структури кристалів.
    17. Механізм ковзання розщепленої дислокації. 
    18. Природа залежності напруги ковзання дислокацій від кристалографічної орієнтації. 
    19. Кристалографічна будова границь зерен. 
    20. Механізми полігонізації і рекристалізації. 
    21. Уявлення про дисклінації в кристалах.

1. Кореляція між міжатомною взаємодією, кристалічною структурою і властивостями твердих тіл3. Ефект Мессбауера і його застосування у фізичному матеріалознавстві