Знати: методи отримання квантово-розмірних структур, напівпровідникових кластерів, графена, тонкоплівкових фулеритових структур, вуглецевих нанотрубок і способи формування з них функціональних нанорозмірних систем; природу квантових явищ в напівпровідниках, а саме: квантово-розмірного обмеження, інтерференції, балістичної провідності, резонансного тунелювання (в тому числі і одноелектронного), спін-залежного тунелювання, дискретного надбар’єрного відбивання повільних електронів і ефектів, пов’язаних з кулонівською блокадою.

Вміти: працювати на експериментальному обладнанні; планувати оптимальне проведення експерименту; застосувувати в концентрованій формі систему фундаментальних знань в галузі фізики твердого тіла, квантової фізики, фізики та хімії поверхні, матеріалознавства для розуміння природи квантових явищ в напівпровідниках, кластерах і вуглецевих наноструктурах.